产品说明：
UVC-LED外延片的品质直接决定着其芯片产品的亮度及电性的品位。因此，UVC外延具有技术门槛高、管控要求严、质量需求高的特点。公司拥有多项外延技术专利，配备高精尖的生产、检测设备，严格把控工艺品质，产品波长在260-280nm，生长的AIN及AlGaN晶体质量好，裂纹少，可靠性高。
技术要点：
1. AlN及AlGaN晶体质量
2. 波长均匀
3. 面电阻
4. 光电参数
5. 外观标准
AlN晶体质量要求：
| 参数 | 性能要求 | 备注 |
| XRD 002 | ≤100arcsec | - |
| XRD 102 | ≤300arcsec | - |
| Roughness RMS | ≤2nm | 3um*3um |
AlGaN晶体质量要求：
| 参数 | 性能要求 | 备注 |
| XRD 002 | ≤200arcsec | - |
| XRD 102 | ≤400arcsec | - |
| Roughness RMS | ≤2nm | 3um*3um |
UVC-LED要求：
| 项目 | 要求 |
| 外延片发光波长 | 260nm-280nm |
| 波长均匀性 | ≤3.5nm |
| 面电阻 | ≤150 |
光电参数：
| 项目 | 要求 |
| 开启电压Vf（1μA）/V | ≥4.0 |
| 漏电流（-5V）/μA | ≤1 |
| 输出功率(40mA) | ≥5.5mW |
| 半宽 | ≤12 |
产品说明：
UVC-LED外延片的品质直接决定着其芯片产品的亮度及电性的品位。因此，UVC外延具有技术门槛高、管控要求严、质量需求高的特点。公司拥有多项外延技术专利，配备高精尖的生产、检测设备，严格把控工艺品质，产品波长在260-280nm，生长的AIN及AlGaN晶体质量好，裂纹少，可靠性高。
技术要点：
1. AlN及AlGaN晶体质量
2. 波长均匀
3. 面电阻
4. 光电参数
5. 外观标准
AlN晶体质量要求：
| 参数 | 性能要求 | 备注 |
| XRD 002 | ≤100arcsec | - |
| XRD 102 | ≤300arcsec | - |
| Roughness RMS | ≤2nm | 3um*3um |
AlGaN晶体质量要求：
| 参数 | 性能要求 | 备注 |
| XRD 002 | ≤200arcsec | - |
| XRD 102 | ≤400arcsec | - |
| Roughness RMS | ≤2nm | 3um*3um |
UVC-LED要求：
| 项目 | 要求 |
| 外延片发光波长 | 260nm-280nm |
| 波长均匀性 | ≤3.5nm |
| 面电阻 | ≤150 |
光电参数：
| 项目 | 要求 |
| 开启电压Vf（1μA）/V | ≥4.0 |
| 漏电流（-5V）/μA | ≤1 |
| 输出功率(40mA) | ≥5.5mW |
| 半宽 | ≤12 |
浙公网安备 33029202000060号
