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安芯美注重于技术创新与知识产权保护,现拥有国家专利95项,其中发明专利91项,实用新型3项,外观设计1项,专利涵盖衬底、外延、芯片、封装、应用等多个领域。


专利号 专利名称 专利种类
202030081138.5  便携式杀菌餐具盒 外观设计
201922085174.3  杀菌除味器 实用新型
201911105889.9  一种LED封装结构 发明
201910535189.7  一种半导体结构 发明
201910535164.7 一种发光二极管芯片及其制造方法  发明
201910400487.5  一种隔离槽的制造方法及其应用 发明
201811510747.6  一种发光二极管芯片及其制备方法 发明
201811510723.0 发光二极管外延结构的制备方法 发明
201811424969.6  一种发光二极体外延结构的制造方法及其应用 发明
201811416176.X 一种半导体元件的切割方法及制造方法 发明
201811415026.7  一种金属有机物化学气相沉积设备的反应腔体的清洁方法 发明
201811397338.X 一种氮化铝外延层生长方法 发明
201811180931.9  一种LED外延结构生长方法   发明
201810312186.2  一种提高发光面占比的高压LED芯片制备方法 发明
201710828420.2  一种LED芯片光功率的测试方法 发明
201710756746.9  一种提升高压LED芯片发光效率的方法 发明
201710705340.8  优化紫外LED发光层的外延结构及其生长方法 发明
201710704823.6  紫光LED外延结构及其生长方法 发明
201710704820.2  提高紫光LED发光效率的外延结构及其生长方法 发明
201710704794.3  紫外LED外延结构及其生长方法 发明
201710388108.6  一种深紫外LED芯片的制造方法 发明
201710380627.8   一种LED金属电极结构及其制备方法   发明
201710354841.6  一种用于LED芯片减薄过程中铜抛光液供给设备 发明
201710137877.9  一种GaN基HEMT器件外延结构及其生长工艺 发明
201610890526.0  一种测试分选分色的方法 发明
201610418150.3  一种高亮度青光LED外延结构及生产工艺 发明
201610373575.7  一种紫外LED有源区多量子阱的生长方法 发明
201510297482.6  一种新型高亮PSS的制备方法 发明
201510278486.X 一种反射电极制程工艺 发明
201510230317.9  多规格光刻版清洗治具 发明
201510230274.4 显微镜载片台 发明
201510229945.5  高温石英加热槽的制作方法 发明
201510229939.X 清除LED芯片光刻标记点残金的方法 发明
201510222207.8  一种LED报废片衬底恢复再利用的方法 发明
201510056425.9  一种改善GaN基LED芯片电流扩展的外延方法 发明
201510035749.4  一种适合高电流密度的GaN基LED外延结构及其生长方法 发明
201410834957.6  一种LED芯片多功能自动寻边器 发明
201410834914.8 一种降低LED电极耗Au量的蒸镀机 发明
201410828370.4  一种LED剥金机载片盘 发明
201410828355.X 一种LED清洗篮垫块 发明
201410828343.7  一种等离子清洗设备 发明
201410827750.6  一种多尺寸LED芯片兼容石英清洗提篮 发明
201410091144.2  一种提高氮化镓晶体质量的复合成核层的生长方法 发明
201410091099.0  一种GaN基外延层表面粗化的LED芯片制作方法 发明
201410090745.1  一种以蓝宝石衬底为基板的GaN基LED多阶缓冲层生长方法 发明
201410090733.9  一种GaN量子阱结构的生长方法 发明
201410090720.1  一种Mg掺杂P型GaN外延生长方法 发明
201410090582.7  一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法 发明
201410090564.9  一种新型甩干机过滤器加热系统 发明
201410090546.0  一种改善氮化镓基发光二极管的反向漏电的外延生长方法 发明
201410090325.3  一种具有循环结构的P型插入层及生长方法 发明
201410090321.5  一种提高GaN基LED静电耐受能力的外延生长方法 发明
201410003103.3  一种LED芯片制造的方法 发明
201410002107.X 一种避免大尺寸外延裂片的外延生长方法 发明
201410001948.9  一种高亮度氮化镓基发光二极管外延生长方法 发明
201410001887.6  一种提高氮化镓基发光二级管发光效率的沟道层技术生长方法 发明
201410001858.X 一种具有新型的P型电子阻挡层结构的发光二级管的生长方法 发明
201410001845.2  一种提高LED发光效率的外延生长方法 发明
201320138490.2  一种新型直下式LED背光源 实用新型
201310311113.9  一种LED芯片清洗提篮 发明
201310224408.2  改善GaN基外延片内波长集中度的外延结构及生长方法 发明
201310180372.2  一种GaN基发光二极管外延结构的生长方法 发明
201310099202.1  具有梯形结构的N型插入层的LED外延片及其生长方法 发明
201310008579.1  一种提高LED亮度的多量子阱层生长方法 发明
201210513522.2   一种大功率LED灯及其封装方法 发明
201210457337.6  一种LED芯片及其制备方法 发明
201210424140.2  一种提高发光效率的外延结构及其制备方法 发明
201210367661.9   一种发光原件的切割方法 发明
201210367628.6   一种具有不同切割孔深度的发光原件切割方法 发明
201210341597.7  一种含介电层的半导体原件的切割方法 发明
201210341574.6  具有布拉格反射结构的四元系LED芯片 发明
201210281517.3  一种用于半导体晶圆减薄工艺的除蜡方法 发明
201210249443.5  一种含金属背镀的半导体原件的切割方法 发明
201210243438.3  具有阶梯式电流阻挡结构的LED芯片及其制作方法 发明
201120568437.7  一种用于LED封装的支架结构 实用新型
200910051657.X 用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法 发明
200910021736.6  一种封装LED的导电银胶及其制备方法 发明