안심미는 기술혁신과 지적재산권 보호에 중점을 두고 있으며 현재 국가특허 95개를 보유하고 있으며 그중 발명특허 91개, 실용신형 3개, 외관디자인 1개이며 특허는 기판, 외연, 칩, 패키지, 응용 등 다양한 분야를 망라하고 있다.
| 특허번호 | 특허명 | 특허 종류. |
| 202030081138.5 | 휴대용 살균 식기 상자 | 외관 디자인 |
| 201922085174.3 | 살균 냄새 제거기. | 실용신형 |
| 201911105889.9 | LED 패키징 구조 | 발명 |
| 201910535189.7 | 반도체 구조입니다. | 발명 |
| 201910535164.7 | 발광 다이오드 칩 및 그 제조방법 | 발명 |
| 201910400487.5 | 하나의 격리조 제조 방법 및 그 응용 | 발명 |
| 201811510747.6 | 발광 다이오드 칩 및 이를 구비하는 방법 | 발명 |
| 201811510723.0 | 발광다이오드 외연구조물의 제조방법 | 발명 |
| 201811424969.6 | 발광다이오드 외연구조물의 제조방법 및 그 응용 | 발명 |
| 201811416176.X | 반도체 소자의 절단 방법 및 제조방법 | 발명 |
| 201811415026.7 | 금속 유기물 화학기상 증착설비의 반응챔버의 청소방법 | 발명 |
| 201811397338.X | 질화알루미늄 외연층 성장방법 | 발명 |
| 201811180931.9 | LED 외연구조의 성장방법 | 발명 |
| 201810312186.2 | 발광면의 비중을 높이는 고압 LED 칩 제조 방법 | 발명 |
| 201710828420.2 | LED 칩 광출력의 테스트 방법 | 발명 |
| 201710756746.9 | 고압 LED 칩의 발광효율을 높이는 방법 | 발명 |
| 201710705340.8 | 자외선 LED 발광층의 외연구조 및 그 성장방법 최적화 | 발명 |
| 201710704823.6 | 자광 LED 외연 구조 및 그 성장 방법 | 발명 |
| 201710704820.2 | 자광 LED 발광효율 향상을 위한 외연구조 및 그 성장방법 | 발명 |
| 201710704794.3 | 자외선 LED 외연구조 및 그 성장방법 | 발명 |
| 201710388108.6 | 딥 퍼플 아웃 LED 칩의 제조방법 | 발명 |
| 201710380627.8 | LED 금속 전극 구조 및 이를 구비하는 방법 | 발명 |
| 201710354841.6 | LED 칩의 얇은 감소 공정에서 구리 연마액 공급 장치 | 발명 |
| 201710137877.9 | GaN 기반 HEMT 부품의 외연구조 및 그 성장공정 | 발명 |
| 201610890526.0 | 분판을 테스트하는 방법 | 발명 |
| 201610418150.3 | 고휘도 청광 LED 외연구조 및 생산공정 | 발명 |
| 201610373575.7 | 자외 LED 능동구 다양자 몰리브덴의 성장 방법 | 발명 |
| 201510297482.6 | 새로운 하이라이트 PSS의 준비방법 | 발명 |
| 201510278486.X | 반사전극 공정 | 발명 |
| 201510230317.9 | 다규격 리소그래피판 세척치구 | 발명 |
| 201510230274.4 | 현미경 적재대 | 발명 |
| 201510229945.5 | 고온 석영 가열조 제작 방법 | 발명 |
| 201510229939.X | LED 칩 리소그래피 마크 포인트 잔금을 지우는 방법 | 발명 |
| 201510222207.8 | LED 폐차시트 기판의 재이용 재개 방법 | 발명 |
| 201510056425.9 | GaN 기반 LED 칩의 전류 확장 개선을 위한 외연 방법 | 발명 |
| 201510035749.4 | 고전류 밀도에 적합한 GaN 기반 LED 외연 구조 및 그 성장 방법 | 발명 |
| 201410834957.6 | LED 칩의 다기능 자동 변방 탐지기 | 발명 |
| 201410834914.8 | LED 전극의 Au 소모량 감소를 위한 증도금기 | 발명 |
| 201410828370.4 | LED 박금기 적재편반 | 발명 |
| 201410828355.X | LED 세척 바스켓 패드 블록 | 발명 |
| 201410828343.7 | 플라즈마 세척 장치 | 발명 |
| 201410827750.6 | 멀티 사이즈 LED 칩 호환 쿼츠 세척용 바구니 | 발명 |
| 201410091144.2 | 질화갈륨 결정질량을 향상시킨 복합성핵층의 성장방법 | 발명 |
| 201410091099.0 | GaN 기외연층 표면을 조화된 LED 칩 제작 방법 | 발명 |
| 201410090745.1 | 사파이어 기판을 기판으로 한 GaN 기반 LED 다단계 버퍼층 성장 방법 | 발명 |
| 201410090733.9 | GaN 양자 몰리브덴 구조의 성장 방법 | 발명 |
| 201410090720.1 | Mg도핑 P형 GaN 외연 성장방법 | 발명 |
| 201410090582.7 | GaN기반 LED 발광휘도 향상을 위한 외연방법 | 발명 |
| 201410090564.9 | 새로운 차일러 필터 가열 시스템 | 발명 |
| 201410090546.0 | 질화갈륨기 발광다이오드의 역누전 개선을 위한 외연성장방법 | 발명 |
| 201410090325.3 | 순환구조를 갖는 P형 삽입층 및 성장방법 | 발명 |
| 201410090321.5 | GaN기 LED의 정전내성 능력 향상을 위한 외연성장 방법 | 발명 |
| 201410003103.3 | LED 칩 제조 방법 | 발명 |
| 201410002107.X | 큰 크기의 외연 균열을 방지하는 외연 성장 방법 | 발명 |
| 201410001948.9 | 고휘도 질화갈륨기 발광다이오드 외연 성장방법 | 발명 |
| 201410001887.6 | 질화갈륨기 발광 2차관의 발광효율 향상을 위한 도층기술 성장방법 | 발명 |
| 201410001858.X | 새로운 P형 전자차단층 구조를 갖는 발광 2차관의 성장방법 | 발명 |
| 201410001845.2 | LED 발광효율 향상을 위한 외연성장방법 | 발명 |
| 201320138490.2 | 새로운 직하형 LED 백라이트 | 실용신형 |
| 201310311113.9 | LED 칩 세척용 바구니 | 발명 |
| 201310224408.2 | GaN기 외연편내 파장집중도 개선을 위한 외연구조 및 성장방법 | 발명 |
| 201310180372.2 | GaN 기반 발광다이오드 외연구조의 성장방법 | 발명 |
| 201310099202.1 | 사다리꼴 구조를 갖는 N형 삽입층을 갖는 LED 외연 시트 및 그 성장 방법 | 발명 |
| 201310008579.1 | LED 밝기 향상을 위한 다중양자 몰리브덴층 성장방법 | 발명 |
| 201210513522.2 | 고출력 LED 램프 및 그 패키징 방법 | 발명 |
| 201210457337.6 | LED 칩 및 이를 구비하는 방법 | 발명 |
| 201210424140.2 | 발광효율 향상을 위한 외연구조 및 그 제조방법 | 발명 |
| 201210367661.9 | 발광원본의 절단방법 | 발명 |
| 201210367628.6 | 서로 다른 절단 구멍의 깊이를 갖는 발광 원본 절단 방법 | 발명 |
| 201210341597.7 | 유전층을 포함하는 반도체 원본의 절단 방법 | 발명 |
| 201210341574.6 | 프라하 반사구조를 갖는 쿼터계 LED칩 | 발명 |
| 201210281517.3 | 반도체 웨이퍼 얇음 저감 공정을 위한 왁스 제거 방법 | 발명 |
| 201210249443.5 | 금속 백도금을 포함하는 반도체 원본의 절단 방법 | 발명 |
| 201210243438.3 | 계단형 전류차단 구조를 갖는 LED 칩 및 그 제작 방법 | 발명 |
| 201120568437.7 | LED 패키지용 브라켓 구조 | 실용신형 |
| 200910051657.X | 광전기부품용 다중양자 몰리브덴 구조 및 그 제조방법 | 발명 |
| 200910021736.6 | LED를 캡슐화한 전도성 은젤 및 그 제조 방법 | 발명 |
절 공 망 안 비 330 29 20 200 00 60 호