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안심미는 기술혁신과 지적재산권 보호에 중점을 두고 있으며 현재 국가특허 95개를 보유하고 있으며 그중 발명특허 91개, 실용신형 3개, 외관디자인 1개이며 특허는 기판, 외연, 칩, 패키지, 응용 등 다양한 분야를 망라하고 있다.


특허번호 특허명 특허 종류.
202030081138.5  휴대용 살균 식기 상자 외관 디자인
201922085174.3  살균 냄새 제거기. 실용신형
201911105889.9  LED 패키징 구조 발명
201910535189.7  반도체 구조입니다. 발명
201910535164.7 발광 다이오드 칩 및 그 제조방법 발명
201910400487.5  하나의 격리조 제조 방법 및 그 응용 발명
201811510747.6  발광 다이오드 칩 및 이를 구비하는 방법 발명
201811510723.0 발광다이오드 외연구조물의 제조방법 발명
201811424969.6  발광다이오드 외연구조물의 제조방법 및 그 응용 발명
201811416176.X 반도체 소자의 절단 방법 및 제조방법 발명
201811415026.7  금속 유기물 화학기상 증착설비의 반응챔버의 청소방법 발명
201811397338.X 질화알루미늄 외연층 성장방법 발명
201811180931.9  LED 외연구조의 성장방법 발명
201810312186.2  발광면의 비중을 높이는 고압 LED 칩 제조 방법 발명
201710828420.2  LED 칩 광출력의 테스트 방법 발명
201710756746.9  고압 LED 칩의 발광효율을 높이는 방법 발명
201710705340.8  자외선 LED 발광층의 외연구조 및 그 성장방법 최적화 발명
201710704823.6  자광 LED 외연 구조 및 그 성장 방법 발명
201710704820.2  자광 LED 발광효율 향상을 위한 외연구조 및 그 성장방법 발명
201710704794.3  자외선 LED 외연구조 및 그 성장방법 발명
201710388108.6  딥 퍼플 아웃 LED 칩의 제조방법 발명
201710380627.8  LED 금속 전극 구조 및 이를 구비하는 방법 발명
201710354841.6  LED 칩의 얇은 감소 공정에서 구리 연마액 공급 장치 발명
201710137877.9  GaN 기반 HEMT 부품의 외연구조 및 그 성장공정 발명
201610890526.0  분판을 테스트하는 방법 발명
201610418150.3  고휘도 청광 LED 외연구조 및 생산공정 발명
201610373575.7  자외 LED 능동구 다양자 몰리브덴의 성장 방법 발명
201510297482.6  새로운 하이라이트 PSS의 준비방법 발명
201510278486.X 반사전극 공정 발명
201510230317.9  다규격 리소그래피판 세척치구 발명
201510230274.4 현미경 적재대 발명
201510229945.5  고온 석영 가열조 제작 방법 발명
201510229939.X LED 칩 리소그래피 마크 포인트 잔금을 지우는 방법 발명
201510222207.8  LED 폐차시트 기판의 재이용 재개 방법 발명
201510056425.9  GaN 기반 LED 칩의 전류 확장 개선을 위한 외연 방법 발명
201510035749.4  고전류 밀도에 적합한 GaN 기반 LED 외연 구조 및 그 성장 방법 발명
201410834957.6  LED 칩의 다기능 자동 변방 탐지기 발명
201410834914.8 LED 전극의 Au 소모량 감소를 위한 증도금기 발명
201410828370.4  LED 박금기 적재편반 발명
201410828355.X LED 세척 바스켓 패드 블록 발명
201410828343.7  플라즈마 세척 장치 발명
201410827750.6  멀티 사이즈 LED 칩 호환 쿼츠 세척용 바구니 발명
201410091144.2  질화갈륨 결정질량을 향상시킨 복합성핵층의 성장방법 발명
201410091099.0  GaN 기외연층 표면을 조화된 LED 칩 제작 방법 발명
201410090745.1  사파이어 기판을 기판으로 한 GaN 기반 LED 다단계 버퍼층 성장 방법 발명
201410090733.9  GaN 양자 몰리브덴 구조의 성장 방법 발명
201410090720.1  Mg도핑 P형 GaN 외연 성장방법 발명
201410090582.7  GaN기반 LED 발광휘도 향상을 위한 외연방법 발명
201410090564.9  새로운 차일러 필터 가열 시스템 발명
201410090546.0  질화갈륨기 발광다이오드의 역누전 개선을 위한 외연성장방법 발명
201410090325.3  순환구조를 갖는 P형 삽입층 및 성장방법 발명
201410090321.5  GaN기 LED의 정전내성 능력 향상을 위한 외연성장 방법 발명
201410003103.3  LED 칩 제조 방법 발명
201410002107.X 큰 크기의 외연 균열을 방지하는 외연 성장 방법 발명
201410001948.9  고휘도 질화갈륨기 발광다이오드 외연 성장방법 발명
201410001887.6  질화갈륨기 발광 2차관의 발광효율 향상을 위한 도층기술 성장방법 발명
201410001858.X 새로운 P형 전자차단층 구조를 갖는 발광 2차관의 성장방법 발명
201410001845.2  LED 발광효율 향상을 위한 외연성장방법 발명
201320138490.2  새로운 직하형 LED 백라이트 실용신형
201310311113.9  LED 칩 세척용 바구니 발명
201310224408.2  GaN기 외연편내 파장집중도 개선을 위한 외연구조 및 성장방법 발명
201310180372.2  GaN 기반 발광다이오드 외연구조의 성장방법 발명
201310099202.1  사다리꼴 구조를 갖는 N형 삽입층을 갖는 LED 외연 시트 및 그 성장 방법 발명
201310008579.1  LED 밝기 향상을 위한 다중양자 몰리브덴층 성장방법 발명
201210513522.2  고출력 LED 램프 및 그 패키징 방법 발명
201210457337.6  LED 칩 및 이를 구비하는 방법 발명
201210424140.2  발광효율 향상을 위한 외연구조 및 그 제조방법 발명
201210367661.9  발광원본의 절단방법 발명
201210367628.6  서로 다른 절단 구멍의 깊이를 갖는 발광 원본 절단 방법 발명
201210341597.7  유전층을 포함하는 반도체 원본의 절단 방법 발명
201210341574.6  프라하 반사구조를 갖는 쿼터계 LED칩 발명
201210281517.3  반도체 웨이퍼 얇음 저감 공정을 위한 왁스 제거 방법 발명
201210249443.5  금속 백도금을 포함하는 반도체 원본의 절단 방법 발명
201210243438.3  계단형 전류차단 구조를 갖는 LED 칩 및 그 제작 방법 발명
201120568437.7  LED 패키지용 브라켓 구조 실용신형
200910051657.X 광전기부품용 다중양자 몰리브덴 구조 및 그 제조방법 발명
200910021736.6  LED를 캡슐화한 전도성 은젤 및 그 제조 방법 발명